מספר מוצר של יצרן:
TQM110NB04DCR RLG
Product Overview
יצרן:
Taiwan Semiconductor Corporation
DiGi Electronics מספר חלק:
TQM110NB04DCR RLG-DG
תיאור:
MOSFET 2N-CH 40V 10A/50A 8PDFNU
תיאור מפורט:
Mosfet Array 40V 10A (Ta), 50A (Tc) 2.5W (Ta), 58W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank 8-PDFNU (5x6)
מלאי:
7712 יחידות חדשות מק originales במלאי
12955143
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
TQM110NB04DCR RLG מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
Taiwan Semiconductor
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
2 N-Channel (Dual)
תכונת FET
-
ניקוז למתח מקור (Vdss)
40V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
10A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
11mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.8V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
26nC @ 10V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1354pF @ 20V
הספק - מקס'
2.5W (Ta), 58W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
כיתה
Automotive
ההסמכה
AEC-Q101
סוג הרכבה
Surface Mount, Wettable Flank
חבילה / מארז
8-PowerTDFN
חבילת מכשירים לספקים
8-PDFNU (5x6)
מספר מוצר בסיסי
TQM110
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
1801-TQM110NB04DCRRLGTR
TQM110NB04DCR
1801-TQM110NB04DCRRLGCT
1801-TQM110NB04DCRTR-DG
1801-TQM110NB04DCRRLGDKR
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SI7925DN-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 12V 4.8A PPAK 1212
NDS9952A-F011
MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 8SOIC
MCQ6005-TP
MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SOP